[发明专利]一种SnS2在审

专利信息
申请号: 202010395779.7 申请日: 2020-05-12
公开(公告)号: CN111450813A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 陈艮 申请(专利权)人: 陈艮
主分类号: B01J21/18 分类号: B01J21/18;B01J23/50;B01J27/04;B01J27/24;B01J35/04;B01J35/08;B01J37/10;B01J35/10;C02F1/72;C02F1/30;C02F101/38;C02F101/36;C02F101/34;C02F101
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及光催化降解技术领域,且公开了一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料,包括以下配方原料及组分:蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4、碳纳米管、四氯化锡、巯基乙酸、十六烷基三甲基溴化铵。该一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料,蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4,具有丰富孔隙结构,比表面积巨大,Ag掺杂使g‑C3N4的光吸收边发生红移,增强了光催化剂对光能的响应性和利用率,纳米SnS2空心微球修饰碳纳米管沉积在Ag掺杂g‑C3N4的丰富孔隙结构和巨大的比表面上,形成异质结结构,碳纳米管在SnS2和Ag掺杂g‑C3N4之间形成三维导电网络,协同作用下促进了光生电子和空穴的分离,产生大量的光生电子和空穴,生成活性极强的超氧自由基和羟基自由基,进行有机污染物降解过程。
搜索关键词: 一种 sns base sub
【主权项】:
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