[发明专利]用于静电防护的晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010395956.1 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111584481B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 胡涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于静电防护的晶体管结构及其制造方法，晶体管结构包括：衬底；形成于衬底上部的漂移区；形成于衬底表面的多个场氧化层；形成于衬底上部的第一P型阱区；形成于漂移区上部的依次隔开的第一N型阱区、第二P型阱区和第二N型阱区；形成于衬底表面上的且覆盖部分第一P型阱区的多晶硅层；形成于第一P型阱区中的第一P+区域和第一N+区域；以及分别形成于第一N型阱区和第二N型阱区中的第二P+区域和第二N+区域，和形成与第一N型阱区和第二N型阱区之间的第三P型阱区。本发明可以保证在ESD电压来临时器件SCR路径中寄生的PNP结构先开启，消除了器件内部的基区扩展效应，使得器件在超快静电脉冲下仍具有有效的防护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 防护 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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