[发明专利]一种TFT结构的制作方法在审
| 申请号： | 202010396229.7 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111681960A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT结构的制作方法，包括步骤：制作第一金属层、第一绝缘层和侧壁有源层结构，所述第一金属层的底面与基板上表面平行，所述侧壁有源层环绕所述第一金属层的侧面；第一绝缘层设置在所述侧壁有源层的侧面与第一金属层的侧面之间设有绝缘层；于侧壁有源层顶部制作第二金属层，侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金属层。发明有效利用第一金属层侧表面与有源层形成有源层导电通道，提高TFT器件反应速率与开态电流，同时缩减TFT尺寸，有利于在超高分辨率面板中的应用。并且提供的TFT结构，在器件受到拉伸以及弯折时形变量更小，且可以更好的分散形变产生的应力，使器件保持为稳定，利于未来制造可弯折或可拉伸面板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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