[发明专利]三维存储组件形成过程中阶梯的蚀刻控制方法

摘要

本文公开了一种三维存储组件和用于控制三维存储组件形成过程中的光阻修整速率的方法。在一实施例，该方法包括，在基底上形成绝缘体叠层，沿着第一方向测量第一修整标记与该光阻层之间的第一距离，以及沿着第一方向修整光阻层。该方法还包括使用修整后的光阻层作为蚀刻掩模蚀刻绝缘体叠层以形成阶梯，使用第一修整标记作为蚀刻掩模形成第二修整标记，以及测量第二修整标记和修整后的光阻层之间的第二距离，将第一距离与第二距离进行比较，以确定实际光阻修整速率与估计的光阻修整速率之间的差值，以及基于上述差值调整光阻修整参数。