[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010406399.9 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN112599497A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。一种半导体存储器装置包括堆叠结构，该堆叠结构包括在半导体衬底上被堆叠为彼此间隔开的用于局部线路的多个导电层，该半导体衬底由单元区域和缩小区域限定，其中用于局部线路的多个导电层以阶梯结构被堆叠在缩小区域中。该半导体存储器装置还包括多个接触插塞，多个接触插塞被形成以穿透缩小区域中的堆叠结构，多个接触插塞分别对应于用于局部线路的多个导电层。多个接触插塞中的每一个包括水平突出的突出部分，并且该突出部分连接到用于局部线路的多个导电层之中的对应的用于局部线路的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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