[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010406717.1 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113675087A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3115;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡;高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有相邻接的阱区和漂移区，漂移区中具有漏区；在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在栅极结构以及栅极结构露出基底上形成硅化物阻挡材料层；在硅化物阻挡材料层中掺杂离子，且掺杂离子掺杂在硅化物阻挡材料层的底部；图形化硅化物阻挡材料层，在漏区和栅极结构之间的漂移区上形成硅化物阻挡层。掺杂离子与硅化物阻挡材料层底部的悬挂键结合形成饱和键，能够减少硅化物阻挡材料层底部界面的电荷，且掺杂在硅化物阻挡材料层底部的离子具有自身的电场，能够干扰硅化物阻挡层中原有的电场线分布，从而硅化物阻挡层中的电荷不易进入漂移区中，使得半导体结构的击穿电压较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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