[发明专利]在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板在审
| 申请号： | 202010407528.6 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111952192A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 高草木贞道 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 马芬;王琳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板。具体的实施方式可包括：提供介电层；将铜层与介电层的第一侧耦接；用镍层镀覆铜层的第一侧；在镍层上形成图案化层；以及使用蚀刻剂对镍层进行喷蚀。方法可包括：将蚀刻剂在介电层上保持预定时间段；以及在保持蚀刻剂的同时，基本上仅蚀刻镍层，直到镍层可与铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 蚀刻 方法 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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