[发明专利]一种高压功率半导体器件复合终端在审
| 申请号： | 202010409949.2 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113675256A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金锐;刘江;吴军民;高明超;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压功率半导体器件复合终端，包括：元胞结构和位于所述元胞结构边缘的终端结构，所述终端结构包括多个沟槽结构和多个半导体层(9)，所述沟槽结构底部具有场限环结构，所述多个半导体层(9)相间设置于所述沟槽结构间，所述元胞结构包括沟槽栅结构，所述沟槽栅结构位于所述多个沟槽结构的一侧，所述沟槽栅结构与所述沟槽结构通过同步工艺制作，本发明有效解决了传统浮空场限环终端结构长时间的热推结过程造成的芯片翘曲，从而使得芯片制造简单，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体器件 复合 终端 | ||
【主权项】：
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