[发明专利]超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010410716.4 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111573728B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 王林芳;胡法卿;范宇升 申请(专利权)人: 浙江金琨锆业有限公司
主分类号: C01G25/02 分类号: C01G25/02;B82Y30/00;C04B35/486;C04B35/626;B01J21/06;B01J32/00;B01J35/10
代理公司: 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 代理人: 张德宝
地址: 311228 浙江省杭州市萧*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及氧化锆陶瓷粉制备领域,尤其涉及超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的制备方法,其特征是包括如下步骤:S1:用水将水溶性锆盐稀释至1~3mol/L,搅拌并超声至溶液澄清,制得溶液A;S2:配置与溶液A浓度相同的氢氧化钠溶液,记为溶液B;S3:将分散剂和水混合搅拌,加入溶液B形成pH值为10的反应液,加入溶液A和溶液B调节反应液pH值为7~7.5,加入溶液B调节反应液pH值为9~10,搅拌,制得浆料C;S4:以去离子水洗涤浆料C;S5:将浆料C烘干至恒重,煅烧,得煅烧粉;S6:煅烧粉中加去离子水混合,球磨,滤出,烘干,研磨并过筛,即得终产物。本方法工艺简单,绿色环保,煅烧温度低、节约能耗,产品粒径小、纯度高,具有超高比表面积。
搜索关键词: 超高 表面积 单斜 纳米 氧化锆 制备 方法
【主权项】:
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