[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010411124.4 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN112802894A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李东旭;梁海昌 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置包括：层叠结构；以及沟道结构，其穿过层叠结构，其中，沟道结构包括穿过层叠结构的沟道层和围绕沟道层的存储器层，层叠结构包括接触沟道层的栅极，并且沟道层和栅极形成肖特基结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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