[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010412371.6 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111987091A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 中村宏之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够抑制封装件的大型化，并且能够调整负反馈量的半导体装置。作为半导体装置的功率模块具有开关元件即IGBT(10)和续流二极管(FWD)(20)，该续流二极管与开关元件并联连接。IGBT(10)在其表面之上具有该IGBT(10)的发射极电极(11)及栅极电极(12)、与它们绝缘的导电性图案(13)。FWD(20)在其表面之上具有该FWD(20)的阳极电极(21)和与其绝缘的导电性图案(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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