[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010415443.2 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113675091A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;刘盼盼;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：形成初始化结构，并在伪栅极、初始栅氧化层和半导体衬底的夹角处形成拐角；移除鳍部的侧壁上的拐角在鳍部的投影区域以外的初始栅氧化层，以及移除鳍部的侧壁上的拐角在鳍部的投影区域内的部分初始栅氧化层，以形成初始栅氧化层余留部，且在拐角与鳍部之间形成凹陷区；在伪栅极和鳍部的侧壁上、以及拐角的侧壁上形成侧墙；在侧墙周侧的半导体衬底上形成介质层，及在鳍部的顶部形成外延层；移除伪栅极、拐角以及初始栅氧化层余留部形成栅极沟槽；在栅极沟槽内沉积栅极材料以形成栅极结构。上述方法形成的栅极沟槽的尺寸更小，避免了因栅极沟槽尺寸增大使得栅极结构尺寸增大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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