[发明专利]半导体版图及其形成方法、形成的半导体结构及方法有效
| 申请号： | 202010415445.1 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113675074B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张海;杨晓松;吴怡旻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/82;H01L23/544;H01L27/02;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 半导体版图及其形成方法、形成的半导体结构及方法半导体版图的形成方法，所述半导体版图的方法包括：提供半导体初始版图；所述版图包括需要对准的对准层图形和位于底部多层的底层结构层图形，所述对准层图形中包括位于Device图形区域内的对位标记图形包括一三象限对位子图形和二四象限对位子图形；在多层的底层结构层图形中的至少相邻两层中设置保护层图形组，各保护层图形组包括上层单方向保护层图形和与上层单方向保护层图形正交的下层单方向保护层图形。上述的方案，可以提高所形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 版图 及其 形成 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
