[发明专利]CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路在审
| 申请号： | 202010417842.2 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111562806A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 方建平;边疆;张适 | 申请（专利权）人： | 西安拓尔微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 金凤 |
| 地址： | 陕西省西安市高新区科技*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS工艺上实现低温度系数电压及电流的参考源电路，电路通过N沟道耗尽型MOS管的阈值电压具有正温度系数和N沟道增强型MOS管的阈值具有负温度系数在电路中相互抵消，达到具有很低的温度系数电压电流参考源产生电路。本发明整体电路设计简单，输出稳定的电压电流参考源，具有很低的温度系数，可根据实际需求进行调节可修调的熔丝的通断，从而得到不同的电压与电流参考源。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 实现 温度 系数 电压 电流 参考 电路 | ||
【主权项】：
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