[发明专利]一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法有效
| 申请号： | 202010422925.0 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111609810B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 郭春;孔明东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G01B11/22 | 分类号： | G01B11/22;G01N21/25;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度的方法，属于真空镀膜技术领域，主要针对离子束刻蚀玻璃基板，除去玻璃基板亚表面缺陷，提高玻璃基板及玻璃基板上沉积光学薄膜的抗激光损伤阈值和使用寿命的技术实施过程中，从离子束刻蚀玻璃基板精确控制和避免高能离子源长时间工作造成玻璃基底重金属离子污染角度而言，需要精确确定高能离子束对玻璃基板刻蚀深度，从而提高高能离子束对玻璃基板刻蚀效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 确定 高能 离子束 玻璃 刻蚀 深度 方法 | ||
【主权项】：
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