[发明专利]一种三维存储器及制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器，包括：形成在衬底上的多层水平导电电极，以及形成在所述水平导电电极之间的隔离介质层；所述水平导电电极之间竖直设有两个多层存储层，两个所述多层存储层的内侧设有竖直导电电极，所述水平导电电极连接两个所述多层存储层的外侧，所述竖直导电电极连接两个所述多层存储层的内侧，所述多层存储层的外侧存储层被所述隔离介质层所隔断。本发明与CMOS工艺兼容，能够有效提升存储器密度，降低成本，有利于推广应用。本发明还公开了一种三维存储器制造方法。