[发明专利]一种硅片镀膜装置及方法在审
| 申请号： | 202010427861.3 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113707754A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李生强 | 申请（专利权）人： | 李生强;李立伟;马世猛 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201702 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅片镀膜装置，包括底托，该底托与硅片的一个表面相贴合，内部挡条组件，该内部挡条组件包括至少四个内部挡条，该内部挡条组件用于将该硅片与该底托相固定；外部挡条组件，该外部挡条组件包括至少四个外部挡条，该外部挡条用于固定该内部挡条；该底托、内部挡条组件及外部挡条组件均由非导电性材料制成。本发明同时公开一种硅片镀膜方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 镀膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
