[发明专利]高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列及其制备工艺在审
| 申请号： | 202010428517.6 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111564540A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;王栋栋;陶涛;谢自力;周玉刚;修向前;陈鹏;陈敦军;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L23/544;H01L27/15;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一种高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在InGaN量子阱LED外延片上刻蚀形成蚀穿p型层、多量子阱层，深至n型层的纳米柱阵列，其特征在于：所述InGaN量子阱LED外延片分隔成四个区域，每个区域中的纳米柱阵列的直径一致，不同区域的纳米柱阵列的直径不同。并公开了其制备方法。本发明的高速InGaN多量子阱微纳LED发光器件阵列，在一个器件上划分成直径大小不同的四个区域，实现了不同直径和不同载流子寿命的微纳LED器件在同一衬底上的物理集成。器件自身的少数载流子寿命较小，响应速度更快，切换时间很短，因此可以作为响应时间短、刷新频率高的高速LED器件阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 ingan 多量 子阱微纳 led 发光 器件 阵列 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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