[发明专利]一种高散热半导体封装工艺在审
申请号: | 202010432881.X | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN111640681A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 王琇如 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种高散热半导体封装工艺及产品及电子产品,所述高散热半导体封装工艺包括以下步骤:S1、上芯,提供基板并在所述基板上设置芯片,电连接所述芯片与所述基板;S2、提供封装材料,提供包括绝缘层以及散热层的绝缘散热封装材料;S3、封装,采用上述绝缘散热材料对设置在基板上的芯片进行封装。本方案中通过采用具有绝缘层以及散热层的绝缘散热封装材料对半导体进行封装,依靠散热层的优良散热性能可以提高半导体产品的散热效果,通过设置绝缘层可以避免散热层进入到芯片与基板之间造成短路。 | ||
搜索关键词: | 一种 散热 半导体 封装 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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