[发明专利]高散热性整流桥堆的加工工艺在审
| 申请号： | 202010434407.0 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111584370A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王志敏;黄丽凤;丁晓飞 | 申请（专利权）人： | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 崔立青;王玉梅 |
| 地址： | 226578 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了高散热性整流桥堆的加工工艺，取四个待加工的板料基材，备用；分别对四个板料基材进行清洗操作，首先利用正溴丙烷溶液将四个待加工的板料基材浸泡8‑15min，取出，将板料基材表面浸渍的正溴丙烷溶液擦干备用；利用正溴丙烷对上述步骤中处理的板料基材超声清洗6‑8min；再依次利用正溴丙烷与酒精清洗10‑16min，擦干放置2‑6min；在80‑100℃烘干板料基材20±2min，烘干之后备用；对板料基材内层芯板上打孔；该高散热性整流桥堆的加工工艺，该整流桥堆通过多种工序进行操作加工，能够使得整流桥堆的防腐蚀性得到提高，同时通过钻孔加工，能够显著提高整流桥堆的散热性，实现高散热性工作。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 整流 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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