[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010439678.5 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111653483B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;杨智伟;黄志森;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/308;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/522;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包含：一基底，该基底上设有一栅极结构以及环绕该栅极结构的一第一层间介电层，其中该栅极结构包含一栅极电极以及位于该栅极电极两侧的一侧壁子，一第一硬掩模，其设于该栅极结构上，一第二硬掩模，其设于该栅极结构上，其中该第一硬掩模设于该第二硬掩模两侧且该第一硬掩模包含氮化硅，一蚀刻停止层，其设于该侧壁子与第一层间介电层之间，该蚀刻停止层的上表面与第二硬掩模的上表面齐平，以及一接触插塞，其电连接该栅极结构，其中该接触插塞不电连接一源极/漏极区域，和其中该接触插塞贯穿该第二硬掩模并与该栅极电极电连接，且该接触插塞不直接接触该侧壁子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010439678.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种切厚朴辅助切割设备
- 下一篇：一种语句相似度判断方法及判断系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
