[发明专利]存储器的形成方法及存储器有效
| 申请号： | 202010440404.8 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN113707611B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李冉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施方式提供一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有位线结构以及第一保护层；形成介质层填充相邻位线结构之间的间隙；形成第二保护层覆盖第一保护层顶部表面和介质层的顶部表面；在垂直于位线结构延伸的方向上，去除部分介质层以及部分第二保护层，形成电容接触孔，且在垂直于位线结构延伸的方向上，暴露出位于相邻电容接触孔之间的第一保护层；形成导电层填充电容接触孔并覆盖暴露出的第一保护层的顶部表面，且导电层顶部表面与第二保护层顶部表面齐平；刻蚀部分导电层形成分立的电容接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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