[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010440526.7 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN112310283A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 庄景诚 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上方形成一生长基膜；在该生长基膜中形成多个掺杂段以及多个未掺杂段；在所述多个未掺杂段上选择地形成多个隔离段；移除所述多个掺杂段；以及在该基底上方形成多个电容结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010440526.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：测试方法、装置和电子设备
- 下一篇：半导体结构
