[发明专利]三维存储器装置在审
| 申请号： | 202010446737.1 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN112038348A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 金昶汎;金成勳;金胜渊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种三维存储器装置，包括：第一存储器单元阵列，包括垂直堆叠在基底的顶表面的第一存储器单元阵列区域上的第一存储器单元；第二存储器单元阵列，包括垂直堆叠在顶表面的第二存储器单元阵列区域上的第二存储器单元；多条第一字线，连接到第一存储器单元并包括所述多条第一字线的子集和剩余的第一字线；多条第二字线，连接到第二存储器单元并包括所述多条第二字线的子集和剩余的第二字线；行解码器，包括多个合并传输晶体管，所述多个合并传输晶体管各自公共连接到所述多条第一字线的子集中的相应的一条第一字线和所述多条第二字线的子集中的相应的一条第二字线，行解码器设置在第一存储器单元阵列区域与第二存储器单元阵列区域之间的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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