[发明专利]LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010453206.5 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111653621A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件，涉及半导体制造领域。该LDMOS器件至少包括衬底、阱区、体区、漂移区、栅极结构、金属硅化物阻挡层；漂移区的一端设置有漏区，体区的一端设置有源区；栅极结构横跨覆盖漂移区的一部分和体区的一部分，栅极结构与衬底之间设置有栅介质层；金属硅化物阻挡层由堆叠的介质层和导电层构成；金属硅化物阻挡层覆盖栅极结构和漏区之间的漂移区，且金属硅化物阻挡层延伸至栅极结构的上方；漏区、源区和栅极结构的顶部分别设置有金属硅化物；漏区、源区、栅极结构和金属硅化物阻挡层分别通过层间介质层中的接触孔引出；利用金属硅化物阻挡层作为场板，进一步地提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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