[发明专利]一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法有效
申请号: | 202010453888.X | 申请日: | 2020-05-26 |
公开(公告)号: | CN111575681B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 赵环;王贵梅;张福庆 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/50 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 徐颖聪 |
地址: | 055550 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法,其特征在于,包括:步骤1,对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏;步骤2,设定符合镀膜要求的反应仓和单管的反应条件的参数值;步骤3,空运行一遍石墨框,并等待反应仓和单管的反应条件的参数值稳定;步骤4,测试第一根单管,调整石墨框的传输速度;步骤5,重复步骤3;步骤6,将石墨框装上待镀膜硅片送入反应仓进行镀膜;步骤7,重复步骤4‑6,依次完成多根单管对硅片的镀膜;步骤8,分析每一根单管镀膜后的镀膜效果。根据本发明实施例提供的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法,能够可以精确检测每根单管的镀膜效果,快速找出镀膜异常的单管,解决了板式PECVD设备检修发现问题用时久。 | ||
搜索关键词: | 一种 板式 pecvd 设备 中单管 镀膜 效果 检测 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的