[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010460082.3 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN112670409A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡伊甄;曾元泰;徐晨祐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一电极，其位于所述衬底上方；第二电极，其位于所述第一电极上方；及第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离。所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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