[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010467028.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112054021A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | R·魏斯;R·克诺夫勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/808 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：具有第一掺杂类型的多个第一半导体层和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层的层堆叠体，其中第一半导体层和第二半导体层交替布置在层堆叠体的第一表面和第二表面之间。该半导体器件还包括：与多个第一半导体层毗连的第一半导体器件的第一半导体区；第一半导体器件的至少一个第二半导体区，其中，至少一个第二半导体区中的每者与多个第二半导体层的至少其中之一毗连，并且与第一半导体区间隔开；以及被配置为形成扩散阻挡部的至少一个阻挡层，其中，至少一个阻挡层中的每者被布置为平行于第一表面和第二表面，并且与第一半导体层之一相邻或者与第二半导体层之一相邻，或与两者相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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