[发明专利]基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法有效
申请号: | 202010467764.7 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111628045B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 朱辉;成秋云;黄心沿;刘帅;肖洁;吴得轶 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66;H01L21/677;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法,包括石墨舟就位、石墨舟上缓存架、进舟前镀膜检测、石墨舟进反应室、石墨舟出反应室、取片前镀膜检测、石墨舟返回插取片机等步骤。本发明在缓存架上设置检测石墨舟是否有无镀膜的装置,增加两步是否镀膜检测步骤,其一为机械手根据检测结果直接抓取缓存架上无镀膜的石墨舟放入推舟机构上,然后由推舟机构送入反应室内镀膜,可避免出现反应室内出现二次镀膜,其二为机械手根据检测结果抓取缓存架上有镀膜的石墨舟放在传送机构上,由传送机构送入插取片机进行取片,避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序,确保每一舟硅片完成镀膜,而且没有重复镀膜,保证了生产流程的顺畅。 | ||
搜索关键词: | 基于 镀膜 检测 pecvd 表面 上下 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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