[发明专利]集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 202010468368.6 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112018069B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陈奕寰;周建志;亚历山大·卡尔尼斯基;郑光茗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一些实施例涉及包括半导体衬底的集成电路(IC)。浅沟槽隔离区向下延伸至半导体衬底的前侧内并填充有介电材料。第一电容器板和第二电容器板设置在浅沟槽隔离区中。第一电容器板和第二电容器板分别具有第一侧壁结构和第二侧壁结构，第一侧壁结构和第二侧壁结构彼此基本平行并且通过浅沟槽隔离区域的介电材料彼此分隔开。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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