[发明专利]一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010470112.9 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111653745A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 唐唯佳;杨乐之;涂飞跃;封青阁;汤刚;彭青姣;罗磊;覃事彪 | 申请（专利权）人： | 长沙矿冶研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/20 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 毛志杰 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：将纳米硅粉、石墨和聚合物混合均匀，得到纳米硅石墨复合材料；对纳米硅石墨复合材料进行加压处理，得到紧实的纳米硅石墨复合块料；将纳米硅石墨复合块料在惰性气氛下进行碳化处理，得到硅碳负极前驱体材料。该制备方法保证了硅/石墨/无定型碳的粘接强度以及分散均匀性，大大缓解了硅在充放电过程中的体积膨胀效应，所制得的硅碳负极前驱体材料具有压实密度高、硅碳均匀分布的特点，所制得的硅碳负极材料的比容量、首次充放电效率以及循环性能得到大幅度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负极 前驱 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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