[发明专利]测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 202010470615.6 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113745124A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王伟;王成博;苏波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试结构及测试方法，其中测试结构包括：基底；位于所述基底上的待测第一导电层，所述待测第一导电层内具有若干第一隔断；位于所述基底上相互平行排列的多个待测第二导电层，每个所述待测第二导电层内均具有若干第二隔断，且至少一个待测第二导电层与待测第一导电层电连接；位于所述基底上相互平行排列的若干第一导电层，每个所述第一导电层与待测第二导电层电连接；与所述待测第一导电层电连接的第一测试端；与一个所述第一导电层电连接的第二测试端。通过所述测试结构进行测试，以满足对不同待测导电层内的电连接和电隔断进行测试，以满足晶圆可接受测试需求。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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