[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：第一掩膜叠层中第二掩膜层的厚度小于第二掩膜叠层中第二掩膜层的厚度，且以垂直于掩膜叠层侧壁的方向为横向，第二掩膜叠层的横向尺寸大于第一掩膜叠层的横向尺寸；在掩膜叠层的侧壁上形成侧墙层；本发明实施例，去除所述第一掩膜叠层，以侧墙层和第二掩膜叠层为掩膜刻蚀控制栅材料层，形成位于第一控制栅极和第二控制栅极，在外围区中形成第二掩膜叠层和位于第二掩膜叠层侧壁上的侧墙层，以侧墙层和第二掩膜叠层为掩膜刻蚀控制栅材料层同时形成第一控制栅极和第二控制栅极，避免了先后形成单元区和外围区中的控制栅极的掩膜过程中，存在的套刻误差的情况，有利于提高半导体结构的电学性能。