[发明专利]一种套刻对准标记结构及相关方法和器件有效
| 申请号： | 202010472791.3 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111580351B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 方超;高志虎 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种套刻对准标记结构及其制作方法、套刻精度测量方法及半导体器件，包括基底；位于基底一侧表面的实体参考标记；覆盖实体参考标记背离基底一侧的薄膜覆盖层，薄膜覆盖层背离基底一侧包括凹槽测量标记，实体参考标记与凹槽测量标记组合为套刻对准标记；凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边。由于凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边，通过CDSEM测量机台获取更为清晰且精确的实体参考标记和凹槽测量标记在交叠区域处的形貌，进而对该清晰且精确的形貌进行套刻精度的测量，能够保证套刻精度的测量误差小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 标记 结构 相关 方法 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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