[发明专利]一种具有双层绝缘层的面板结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010474754.6 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599686A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 宋爽 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/77;H01L29/423;H01L27/12 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布一种具有双层绝缘层的面板结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上制作栅极；制作第一绝缘层；在栅极区域的第一绝缘层上制作孔，孔的底部为栅极；制作第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一绝缘层上的孔底部的栅极；在第二绝缘层上制作半导体层，半导体层位于第一绝缘层上的孔处；在半导体层上制作源极和漏极。上述技术方案通过减薄栅极区域的第一绝缘层的膜厚度，减薄后让第二绝缘层覆盖在栅极上，从而缩减栅极与源漏极之间的间距。缩减栅极与源漏极之间的间距后，可以提高开启电流Ion，从而达到减小面板功耗的目的，对面板的续航能力有一个较好的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双层 绝缘 面板 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司，未经福建华佳彩有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010474754.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
