[发明专利]非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路和控制测试方法有效
| 申请号： | 202010475586.2 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111696614B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 高璐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/44 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路及控制测试方法，包括模式控制模块、冗余地址载入模块、寄存器组和地址比较器；模式控制模块用于确定工作模式；在测试模式下，地址比较器产生测试的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号，对NVM存储阵列进行测试并将错误行地址及有效位标识写入NVM存储阵列的OTP区域中；在自动载入模式下，冗余地址载入模块将错误行地址和有效位标识通过校验读出且当校验通过后存入寄存器组；在用户工作模式下，地址比较器产生存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号，并自动利用冗余存储阵列行替换NVM存储阵列中的错误行。本发明将测试模式和用户工作模式下的替换功能融于一体，提高了良率，简化了客户设计及操作。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 冗余 存储 控制 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
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