[发明专利]集成电路器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010485845.X | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN112018065B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 余振华;卢思维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/48;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/304;H01L21/60;H01L25/16;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成集成电路器件的方法包括将器件管芯接合至中介层。中介层包括从中介层的半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底的顶面和底面之间的中间层级的通孔。实施分割工艺以将中介层和器件管芯锯切成封装件。该方法还包括将封装件放置在载体上方，将封装件密封在密封剂中，减薄中介层的密封剂和半导体衬底，直至露出通孔，并且形成再分布线，其中，再分布线中的再分布线与通孔接触。本发明的实施例还涉及集成电路器件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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