[发明专利]刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备在审
| 申请号： | 202010486606.6 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111584356A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 周颖;胡军;刘隆冬;李明;张福涛;刘云飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/115;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备，该方法包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，晶圆吸附在刻蚀腔体内的基台上；消除基台和晶圆之间的吸附静电，且同时向刻蚀腔体中通入清洁气体，清洁气体为用于去除刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，副产物为对进行刻蚀的过程产生的。相比现有技术中的方案，该方案中，刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，解决了现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 过程 控制 方法 装置 存储 介质 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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