[发明专利]半导体基板及其形成方法在审
| 申请号： | 202010488964.0 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113764434A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李文中;廖翠芸;焦平海 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市龙潭*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体基板及其形成方法，该半导体基板包含低阻值基板、高阻值基板以及外延层。低阻值基板具有介于0.0001～1 Ohm‑cm的第一阻值。高阻值基板设置于低阻值基板上，且直接接触低阻值基板。高阻值基板具有介于1～10000 Ohm‑cm的第二阻值。外延层设置于高阻值基板上。由于高阻值基板厚度较薄，故外延层对高阻值基板造成的应力也较小。低阻值基板具有高机械强度，故能够抵抗外延层造成的应力，可以提升外延层的品质以及减少外延层差排所造成的应力，因此，半导体基板具有不易翘曲的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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