[发明专利]一种低电阻率五氧化二铌热压靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202010493051.8 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111606708A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;林志河 | 申请（专利权）人： | 福建阿石创新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 350200 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低电阻率五氧化二铌热压靶材及其制备方法，属于镀膜材料技术领域。本发明将五氧化二铌粉和铌粉的混合物进行真空预烧结，部分五氧化二铌与铌反应生成一氧化铌和二氧化铌，同时五氧化二铌在真空失氧状态下，生成二氧化铌，得到含一氧化铌的铌的氧化物，然后进行热压烧结，得到较高密度的五氧化二铌热压靶材。本发明所得五氧化二铌热压靶材中含有一氧化铌导体和二氧化铌半导体，有效降低了靶材的电阻率，提高了导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 氧化 热压 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建阿石创新材料股份有限公司，未经福建阿石创新材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010493051.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高炉冷却壁固定方法
- 下一篇：一种汽车防松螺母及其加工工艺
