[发明专利]具有极高度均一性夹断/临界电压的门极沉降假晶高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202010496437.4 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN112117329A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张家铭;钟荣涛;花长煌;林儒贤;林彦丞;王郁琦 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 李怀周 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，包括一化合物半导体基板及形成于其上的一外延结构。该外延结构依序包括一缓冲层、一通道层、一肖特基层和一第一覆盖层。该肖特基层从下到上包括至少两个半导体材料的层叠区域，其中两相邻层叠区域之每一者与另一者之材料不同，且两者之间设有一层叠区域结。在该肖特基层任两相邻层叠区域中，由AlGaAs为基底的半导体材料构成的层叠区域与由InGaP为基底的半导体材料构成的另一层叠区域交替层叠。一门极沉降区域位于一门极电极的一第一门极金属层下方，且该门极沉降区域之底边界位于该肖特基层层叠区域其中一结层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 极高 均一 性夹断 临界 电压 沉降 假晶高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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