[发明专利]半导体凸块及其制备方法、封装结构在审
| 申请号： | 202010499138.6 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111627880A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 莫雷清;简永幸 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 361012 福建省厦门市自由贸易试验区厦门片*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体凸块及其制备方法、封装结构。制备方法包括：提供基底；在基底上形成凸块下金属层；对凸块下金属层进行第一次构图工艺，以在凸块下金属层上形成第一金属功能层；对凸块下金属层和第一金属功能层进行第二次构图工艺，形成覆盖第一金属功能层表面的第二金属功能层。采用两次构图工艺分别形成第一金属功能层以及覆盖在第一金属功能层上的第二金属功能层，可以避免第一金属功能层直接暴露在空气中，从而可以有效避免第一金属功能层(活性较强，如铜等)在空气中发生氧化和腐蚀等导致失效的现象发生，提高半导体凸块的制作良率，并能够有效避免应用该半导体凸块的芯片发生漏电情况，提高芯片的安全性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制备 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
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