[发明专利]半导体凸块及其制备方法、封装器件在审
| 申请号： | 202010499693.9 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111627881A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 孙彬 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 361012 福建省厦门市自由贸易试验区厦门片*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体凸块及其制备方法、封装器件。制备方法包括：提供基底；在基底上形成种子层；在种子层上通过一次构图工艺形成第一层凸块和第二层凸块，以制备得到半导体凸块，第一层凸块面积小于第二层凸块面积。本发明通过一次构图工艺形成半导体凸块，可以简化半导体凸块的制备工序，有效降低制作成本。在与其他器件进行封装压合时，由于第一层凸块面积小于第二层凸块面积，该第一层凸块可以有效降低或减缓半导体凸块对保护层的应力，另外，由于第一层凸块和第二层凸块通过一次构图工艺形成，两者之间结合力较好，并且第二层凸块在与其他器件进行压合时，压合可靠性大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制备 方法 封装 器件 | ||
【主权项】：
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