[发明专利]垂直存储器装置在审
申请号: | 202010500836.3 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN112038352A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 白石千 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11563 | 分类号: | H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11573 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种垂直存储器装置包括:基板,其包括第一区域和第二区域;栅电极,其在第一方向上彼此间隔开,栅电极中的每一个在第一区域和第二区域上在第二方向上延伸,并且栅电极在第二区域上堆叠;沟道,其在第一区域上在第一方向上延伸,该沟道延伸穿过栅电极;在第一栅电极的端部上的第一导电结构,该端部在第二区域上,该第一栅电极设置在最下水平处;以及在第二区域上在第二方向上与第一导电结构间隔开的第二导电结构,该第二导电结构在第一方向上不与第一栅电极重叠并且设置在与第一导电结构的高度不同的高度处。 | ||
搜索关键词: | 垂直 存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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