[发明专利]垂直存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010500836.3 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN112038352A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 白石千 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11563 分类号: H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11573
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种垂直存储器装置包括:基板,其包括第一区域和第二区域;栅电极,其在第一方向上彼此间隔开,栅电极中的每一个在第一区域和第二区域上在第二方向上延伸,并且栅电极在第二区域上堆叠;沟道,其在第一区域上在第一方向上延伸,该沟道延伸穿过栅电极;在第一栅电极的端部上的第一导电结构,该端部在第二区域上,该第一栅电极设置在最下水平处;以及在第二区域上在第二方向上与第一导电结构间隔开的第二导电结构,该第二导电结构在第一方向上不与第一栅电极重叠并且设置在与第一导电结构的高度不同的高度处。
搜索关键词: 垂直 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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