[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010506035.8 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111627810B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 许春龙;李庆民;杨宗凯 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/322;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一半导体衬底，依次形成氧化层和牺牲层于所述半导体衬底上，其中，所述氧化层的厚度为第一厚度；形成多个沟槽于所述半导体衬底上，所述沟槽从所述牺牲层延伸至所述半导体衬底中；形成隔离介质层于所述多个沟槽及所述牺牲层上，并移除位于所述牺牲层上的所述隔离介质层，以形成多个隔离结构；形成阱区于所述半导体衬底中；通过刻蚀工艺对所述氧化层进行处理，以使所述氧化层的厚度等于第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；形成多晶硅层于刻蚀后的所述氧化层上。本发明提出的半导体结构的制造方法可以提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
