[发明专利]一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件有效

专利信息
申请号: 202010509455.1 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN111638625B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 凌坚;孙彬 申请(专利权)人: 厦门通富微电子有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 代理人: 李明;赵吉阳
地址: 361012 福建省厦门市自由贸易试验区厦门片*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本公开提出一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件,掩膜版包括掩膜基板,掩膜基板上设置有至少一个有效开窗区域以及环绕至少一个有效开窗区域设置的非开窗区域;至少一个有效开窗区域的外侧设置有至少一个无效开窗区域,无效开窗区域能够使得通过对应的有效开窗区域形成的显影区域在受热时不发生变形。本公开的掩膜版,在空旷区设计无效开窗区域,使得通过该无效开窗区域曝光显影后得到光刻胶上的显影非开窗区,将烘烤工艺的热膨胀效应转移至该显影非开窗区域,保护通过掩膜版上正常开窗区得到的光刻胶上的显影开窗区不受光阻膨胀效应影响,由于无效开窗区宽度小,曝光后的光刻胶层显影时无法显开,后续无法生产Bump,不会影响产品。
搜索关键词: 一种 掩膜版 制备 半导体器件 方法
【主权项】:
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