[发明专利]一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件有效
申请号: | 202010509455.1 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN111638625B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 凌坚;孙彬 | 申请(专利权)人: | 厦门通富微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明;赵吉阳 |
地址: | 361012 福建省厦门市自由贸易试验区厦门片*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提出一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件,掩膜版包括掩膜基板,掩膜基板上设置有至少一个有效开窗区域以及环绕至少一个有效开窗区域设置的非开窗区域;至少一个有效开窗区域的外侧设置有至少一个无效开窗区域,无效开窗区域能够使得通过对应的有效开窗区域形成的显影区域在受热时不发生变形。本公开的掩膜版,在空旷区设计无效开窗区域,使得通过该无效开窗区域曝光显影后得到光刻胶上的显影非开窗区,将烘烤工艺的热膨胀效应转移至该显影非开窗区域,保护通过掩膜版上正常开窗区得到的光刻胶上的显影开窗区不受光阻膨胀效应影响,由于无效开窗区宽度小,曝光后的光刻胶层显影时无法显开,后续无法生产Bump,不会影响产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 制备 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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