[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202010511151.9 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112103209A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 冈村尚幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括处理液供给步骤、两种液体供给步骤、第1移动步骤和第2移动步骤。处理液供给步骤，向基片供给处理液。两种液体供给步骤，在处理液供给步骤之后，一边向基片供给处理液，一边还向基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体。第1移动步骤，在两种液体供给步骤中，使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动步骤，在第1移动步骤之后，且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间之后，使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。根据本发明，能够降低附着于基片的颗粒的量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
