[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010511762.3 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112447641A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黄载元;金镇南;文光辰;朴建相;朴明珠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张晓;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的多个方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：晶体基底，具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面；以及绝缘层，设置在晶体基底的第一表面上。半导体器件还可以包括：蚀刻停止层，插置在晶体基底与绝缘层之间并且接触晶体基底和绝缘层；以及导电通孔结构，穿透晶体基底和绝缘层。半导体器件还可以包括绝缘分隔层，所述绝缘分隔层与导电通孔结构水平相邻地设置，并具有内壁和外壁。绝缘分隔层可以包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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