[发明专利]一种X射线荧光光谱分析低硅硅铁中主要元素含量的方法在审
| 申请号： | 202010512124.3 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111650231A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 殷宏;太井超;闫学会;周垣;田子达 | 申请（专利权）人： | 天津钢铁集团有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/223 | 分类号： | G01N23/223;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 300301 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种X射线荧光光谱分析低硅硅铁中主要元素含量的方法，包括如下步骤：1)用压片法将各个有化学法定值的标准样品分别制成可供X射线荧光光谱仪分析的标准样片，并用化学法值作为标准值建立标准曲线；2)用X射线荧光光谱仪对上述标准样片分别进行扫描，建立基础分析条件；3)对标准样片按照基础分析条件用X射线荧光光谱仪分别进行测量，进行添加修正，拟合后，重新生成标准曲线；4)用压片法将待测样品制成可供X射线荧光光谱仪分析的待测样片；5)再用X射线荧光光谱仪对待测样片进行X射线荧光光谱分析。本发明采用超高压压片法用于样品制样，制样时间短，不用加粘结剂，一次成型，可显著提高分析效率，分析结果准确度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射线 荧光 光谱分析 低硅硅铁中 主要 元素 含量 方法 | ||
【主权项】：
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