[发明专利]原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010515748.0 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111704465A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 余超;郑永翔;邓承继;丁军;祝洪喜;吴欣欣 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/581;C04B35/622
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种原位生成氮化铝‑碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法。其技术方案是:将Al4SiC4粉末和粘结剂混合,在5~50MP条件下预压成型,于100~300MPa条件下等静压成型,在110℃烘干,得到预制坯体。将预制坯体装入石墨坩埚内,然后将所述石墨坩埚置于热压炉内,在≤0.1mbar条件下以5~10℃/min的速率从室温加热至1100~1200℃,在保温条件下充N2至2~10MPa,保压条件下以1~5℃/min的速率再加热至1900~2200℃,保压保温2~5h,自然冷却至室温,即得原位生成氮化铝‑碳化硅固溶体复相陶瓷。本发明工艺简单和操作方便,制备的原位生成氮化铝‑碳化硅固溶体复相陶瓷的密度低、质量轻、结构均匀致密、耐高温、抗氧化性能、抗水化性和强度高。
搜索关键词: 原位 生成 氮化 碳化硅 固溶体 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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